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光譜電化學(xué)池的基本條件
  • 發(fā)布日期:2017-07-04      瀏覽次數(shù):1265
    •   光譜電化學(xué)池技術(shù),按電極附近的厚度又可分為薄層光譜電化學(xué)方法和半無限擴(kuò)散光譜電化學(xué)方法。薄層光譜電化學(xué)方法涉及的是電解池內(nèi)電活性物質(zhì)的耗竭性電解。一般外加電激發(fā)信號(hào)的激發(fā)時(shí)間比較長,列如采用電勢(shì)階躍實(shí)驗(yàn)時(shí),采用較長的階躍時(shí)間;如果采用循環(huán)伏安掃描試驗(yàn),則采用較慢的電勢(shì)掃描速率等。而半無限擴(kuò)散光譜電化學(xué)方法,如果電解時(shí)間過長易引起濃度梯度而導(dǎo)致溶液對(duì)流,一般采用較短的電激發(fā)時(shí)間,常用的電激發(fā)信號(hào)有單電勢(shì)階躍,單電勢(shì)開路弛豫,線性電勢(shì)掃描和恒電流方法。
       
        光譜電化學(xué)池是將光譜技術(shù)原位或非原位地用于研究電極/溶液界面的一種電化學(xué)方法。這類研究方法通常以電化學(xué)技術(shù)為激發(fā)信號(hào)的同時(shí)可以檢測(cè)大量光學(xué)信號(hào),獲得電極/溶液界面分子水平的,實(shí)時(shí)的信息。通過電極反應(yīng)過程中電信息和光信息的同時(shí)測(cè)定,可以研究電極反應(yīng)的機(jī)理,電極表面特性,鑒于參與反應(yīng)的中間體和產(chǎn)物性質(zhì),測(cè)定電對(duì)的克式量電位,電子轉(zhuǎn)移數(shù),電極反應(yīng)速率常數(shù)以及擴(kuò)散系數(shù)等。光譜電化學(xué)方法可以用于電活性,非電活性物質(zhì)的研究,用于電化學(xué)研究的光譜技術(shù)有紅外光譜,紫外可見光譜,拉曼光譜和熒光光譜。
       
        光譜電化學(xué)池的基本條件,將兩種活潑性不同的金屬(即一種是活潑金屬一種是不活潑金屬),或著一種金屬與石墨(Pt和石墨為惰性電極,即本身不會(huì)得失電子)等惰性電極插入電解質(zhì)溶液中。用導(dǎo)線連接后插入電解質(zhì)溶液中,形成閉合回路。要發(fā)生自發(fā)的氧化還原反應(yīng)。原電池工作原理,原電池是將一個(gè)能自發(fā)進(jìn)行的氧化還原反應(yīng)的氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)分別在原電池的負(fù)極和正極上發(fā)生,從而在外電路中產(chǎn)生電流。